能华半导体技术研讨会圆满落幕，行业专家齐聚一堂共话未来

6月15日，氮化镓IDM企业——能华半导体有限公司（以下简称：能华半导体）成功举办了一场技术研讨会和客户答谢宴。此次活动旨在分享最新的氮化镓行业技术进展，探讨行业趋势，并加强与客户的交流合作。

研讨会汇集了来自全国各地的六百多位行业专家、学者、媒体及企业代表。现场座无虚席，气氛热烈，参会者们积极互动，讨论氛围非常活跃。

演讲者包括来自复旦大学、南京大学、东南大学、华南理工大学等国内知名高校的教授们，带来了关于氮化镓领域的前沿研究成果和深刻见解。同时，能华半导体的高层领导和技术人员也在研讨会上分享了氮化镓相关技术的发展趋势，以及公司在氮化镓产品领域的最新进展和成果。

会议伊始，能华半导体董事长朱廷刚发表了致辞。会议邀请了复旦大学黄伟教授、南京大学陆海教授、东南大学李胜博士以及华南理工大学李宗涛教授等多位专家。另外，能华半导体的CTO李亦衡、外延副总夏远洋、研发副总武乐可、应用副总章涛，以及战略合作伙伴陈扬博士也分享了各自领域的最新研究和应用进展。

在本次研讨会中，黄伟提到，GaN功率器件在高频快充等应用中表现出众，未来在AI人工智能发展背景下，GaN技术将生机无限。陆海介绍了GaN功率器件在瞬态能量冲击、并详细讲解了在航天抗辐照应用中的测试成果。李胜则全面对比了级联型GaN功率HEMT器件与硅基超结MOSFET器件的电学参数，阐述了GaN功率HEMT器件的电学特性优势及其设计优化方向。李宗涛分享了电子散热技术的最新进展，提出了异构集成近结散热的新设计思路。

此次研讨会展示了氮化镓技术的最新进展和应用前景，促进了能华半导体与客户及学术界的深入交流。与会者一致认为，此次会议对推动氮化镓技术的创新和应用具有积极意义。能华半导体表示，未来将继续推进更多高质量的研讨会和交流活动，进一步促进产学研的深度融合。

（审核：李昌怀）

（编辑：邓佳丽）

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